==
решение физики
надпись
физматрешалка

Все авторы/источники->СЗТУ 2009


Перейти к задаче:  
Страница 15 из 16 12345678910111213141516
 
Условие Решение
  Наличие  
621 Используя теорию Дебая, вычислить удельную теплоемкость железа при температуре 15 К. Принять температуру Дебая для железа равной 467 К. Молярная масса железа 56 г/моль. Условие T< под заказ
нет
622 Вычислить частоту Дебая для серебра, если при температуре 20 К молярная теплоемкость равна 1,7 Дж/(моль•К). под заказ
нет
623 Вода при температуре 0 oC покрыта слоем льда толщиной 20 см. Температура воздуха равна –10 oC. Определить количество теплоты, переданной водой за время 1 час через поверхность льда площадью 10 см2. Теплопроводность льда 2,2 Вт/(м•К). под заказ
нет
624 Вычислить длину волны фононов в вольфраме, соответствующую частоте w = 0,1wD, если для вольфрама плотность 19,3•10^3 кг/м3, молярная масса 184•10^(-3) кг/моль. под заказ
нет
625 Вычислить среднюю длину свободного пробега фононов в кварце (SiO2), если теплопроводность кварца 13 Вт/(м•К), молярная теплоемкость 44 Дж/(моль•К ) и усредненная скорость звука 5 км/с. Плотность кварца 2,65•10^3 кг/м3. под заказ
нет
626 Температура Дебая для меди равна 309 К. Определить длину волны фононов, соответствующих частоте n = 0,1 nD и усредненную скорость звука в меди. Плотность меди 8,93•10^3 кг/м3, молярная масса 64•10^(-3) кг/моль. под заказ
нет
627 Длина волны фонона, соответствующего частоте w = 0,01 wD, равна 52 нм. Пренебрегая дисперсией звуковых волн, определить температуру Дебая QD, если усредненная скорость звука в кристалле равна 4,8 км/c. под заказ
нет
628 Определить число свободных электронов, которое приходится на один атом Na при при температуре 0 К. Энергия Ферми равна 3,12 эВ, плотность кристалла 970 кг/м3. под заказ
нет
629 Вычислить среднюю кинетическую энергию электронов в металле, если энергия Ферми равна 7 эВ. под заказ
нет
630 Определить максимальную скорость электронов в металле при температуре 0 К, если энергия Ферми равна 5 эВ. под заказ
нет
631 Определить среднюю дрейфовую скорость носителей тока в образце из натрия, если плотность тока, протекающего по образцу, равна 2 А/мм2, плотность кристалла натрия 970 кг/м3, а молярная масса 23 г/моль. под заказ
нет
632 Собственный полупроводник при температуре 300 К имеет сопротивление 5•10^5 Ом. Если его нагреть до температуры 400 К, то его сопротивление уменьшится до 2,5•10^5 Ом. Найти ширину запрещенной зоны. под заказ
нет
633 Кремниевый образец нагревают от температуры 0 С до 10 С. Во сколько раз возрастет его удельная проводимость? Ширину запрещенной зоны принять равной 1,12 эВ. под заказ
нет
634 Образец собственного полупроводника германия при температуре 27 С обладает удельным сопротивлением 0,47 Ом•м . Определить удельную проводимость германия при температуре 127 С. Ширину запрещенной зоны принять равной 0,66 эВ. под заказ
нет
635 Во сколько раз изменится сопротивление германиевого образца, если его охладить от комнатной температуры 20 С до температуры жидкого азота (77 К). Ширину запрещенной зоны считать равной 0,72 эВ. под заказ
нет
636 Для приборов на Снове германия предельная рабочая температура (температура, при которой собственная концентрация носителей тока остановится сравнимой с примесной) равна 75 С. Определить предельную рабочую температуру для приборов на Снове кремния. Ширина запрещенной зоны германия равна 0,72 эВ, а кремния 1,1 эВ. под заказ
нет
637 В чистом германии при температуре 300 К ширина запрещенной зоны равна 0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру полупроводника, чтобы концентрация электронов в зоне проводимости увеличилась в два раза? под заказ
нет
638 При температуре 300 К концентрация электронов в зоне проводимости равна 1,5•10^16 м-3. Определить положение энергии Ферми относительно дна зоны проводимости и ширину запрещенной зоны при температуре 0 К. Плотность состояний в зоне проводимости принять равной 2,5•10^25 м-3. под заказ
нет
639 При температуре 300 К удельная электропроводность кремния равна 4,3•10^(-4) Ом-1•м-1 , подвижность электронов 0,135 м2/(В•с), а подвижность дырок 0,048 м2/(В•с). Определить концентрацию собственных носителей. Какая часть полного тока обусловлена электронами? под заказ
нет
640 Определить подвижность носителей тока в кремниевом образце толщиной 10 мкм, имеющем концентрацию электронов 10^18 м-3, если при подаче на образец напряжения 5В через него протекает ток плотностью 2•10^4 А/м2. под заказ
нет
641 При температуре 300 К концентрация ионизированных примесей 10^22 м-3. Найти положение уровня Ферми, приняв плотность состояний у дна зоны проводимости равной 2,5•10^25 м-3. под заказ
нет
642 В образец кремния вводится примесь n-типа с концентрацией 5,0•10^23 м-3. После этого концентрация неосновных носителей в нем при температуре 300 К составляет 2,42•10^10 м-3. Определить концентрацию собственных носителей ni в кремнии при температуре 300 К в предположении, что все примеси ионизированы. под заказ
нет
643 Считается, что полупроводниковый материал пригоден для использования в приборе, если при рабочих температурах концентрация собственных носителей ni< = 1,1•10^20 м-3. Определить максимальную рабочую температуру приборов на Снове арсенида галлия (GaAs), у которого ширина запрещенной зоны равна 1,43 эВ, плотность состояний у дна зоны проводимости 4,7•10^23 м-3, а у потолка валентной зоны 7,0•10^24 м-3. При этом можно считать, что величины ширины запрещенной зоны и плотностей состояний не зависят от т под заказ
нет
644 В слиток германия одновременно введены сурьма с концентрацией 8,7•10^20 м-3 и галлий с концентрацией 3,68•10^20м-3. Найти удельную проводимость слитка при условии, что все примесные атомы ионизированы, а подвижность электронов 0,36 м2/(В•с); сурьма является донором, а галлий – акцептором. под заказ
нет
645 Образец германия, имеющий при температуре 300 К собственную удельную проводимость 4,3•10^(-4) Ом-1•м -1 , легирован донорной примесью с концентрацией 1,0•10^21 м-3. Найти концентрацию дырок. Определить, какая часть тока обусловлена дырками. Подвижности электронов и дырок при температуре 300 К принять соответственно равными 0,135 м2/(В•с) и 0,048 м2/(В•с). под заказ
нет
646 В чистом германии концентрация собственных носителей при температуре 300 К равна 2,25•10^19м-3. Подвижности электронов и дырок при этой температуре соответственно равны 0,4 м2/(В•с) и 0,2 м2/(В•с). Определить проводимость чистого германия и германия с концентрацией акцепторов 4,5•10^21 м-3. под заказ
нет
647 Определить коэффициент амбиполярной диффузии в кремнии при температуре 300 К, если концентрация электронов в Si равна 10^11 см-3, а подвижность электронов и дырок соответственно равна 1500 cм2/(В•с) и 500 см2/(В•с). Собственная концентрация носителей 10^10 см-3. под заказ
нет
648 Определить коэффициент амбиполярной диффузии в полупроводнике, если известно, что на расстоянии 0,7 мм от его Свещенной поверхности концентрация неравновесных носителей тока спадает в два раза, а время их жизни равно 500 мкс. под заказ
нет
649 Коэффициент амбиполярной диффузии в полупроводнике равен 25 см2/c, а время жизни неравновесных носителей тока 200 мкс. Определить концентрацию неравновесных носителей тока на расстоянии 0,5 мм от Свещенной поверхности полупроводника, если их концентрация на поверхности 10^15 см-3. под заказ
нет
650 Подвижность дырок в собственном полупроводнике при температуре 300 К равна 600 см2/(В•с). Определить подвижность электронов, если коэффициент амбиполярной диффузии равен 30,5 см2/c. под заказ
нет
 
Страница 15 из 16 12345678910111213141516